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4为保温材津牛，5为保温罩，6为加热器，7为水套，8为石英埚，9为导流筒，IO为护盘，12为氩气输入管，11为分布有孔11-1的环形气体分布器，13为排气口。技术领域：本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术：图1为切克劳斯基(直拉)法硅单晶的单晶炉剖面示意图，图1-2中，l为炉筒，2为保温盖。名称：直拉式单晶生长炉的方法直拉式单晶生长炉的方法3为保温盖直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入氩气从而影响了单晶炉的使用寿命。因此上述图1的单晶炉的不足之处在于单晶炉内空间较大氩气流量为40L/min，因此其氩气消耗量大，生产成本较高。影响单晶炉的使用寿命。且其向炉内充入氩气时的充气气压在1.3xi03Pa以上，导致其氩气流量较大，故而氩气消耗量大，生产成本较高。 试验方法电磁感应的热效应被广泛应用于导电材料的热及感应熔炼 m在室温下硅是无法与电磁场相互作用的。